SOI変調器

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シリコンベースの光技術は、従来のマイクロエレクトロニクスよりも広い帯域幅を低消費電力で提供できる高速デバイスの有望な候補として浮上しています。SOIベースの変調器は、将来のオンチップ・フォトニック・ネットワークを実現するために不可欠な構成要素です。

SOI変調器は複雑なデバイスであり、正確なシミュレーションを行うためには、関連する電子、プロセス、光学領域の物理現象をすべて含める必要があります。
既存の商用シミュレーションツールは、一部の解析のみ利用可能で、SOI変調器設計のすべての側面を取り込んだ最適なシミュレーションを提供する単一のツールはありませんでした。

SOI変調器レイアウト

$Refractive index perturbation at -5V (with respect to 0V) | Synopsys$

5Vでの屈折率変化 (0Vを基準として)

インポートされたドーピングプロファイル(対数スケール)。アクセプターは負の値で、ドナーは正の値で示す。

RSoft Photonic Device Toolsを使用してデバイスの光学的な部分を計算し、TCADはデバイスの電子的、およびプロセス的な部分を計算する連携シミュレーションによるソリューションは、完全かつ厳密なSOI設計ソリューションを提供します。
Sentaurus TCAD SDeviceを使用して、フリーキャリア効果によるキャリア分布と対応する屈折率変化(電極印加電圧の関数として)をシミュレーションしています。
その後、RSoftの光学モードソルバーを使用して、モードと構造の等価屈折率を計算します(印加電圧の関数として)。

0V(左)と-5V(右)の基本モード

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