Sentaurus Device

功能

Sentaurus Device 是一种通用型器件仿真工具，拥有在以下几大广泛领域的仿真功能：

先进的逻辑技术 Sentaurus 器件可仿真 FinFET 和 FDSOI 等先进的逻辑技术，包括应力工程、通道量子化效应、热载流子效应、弹道输送，以及众多其他高级输送现象。Sentaurus 器件还支持硅锗 (SiGe)、氮化硅 (SiSn)、铟镓砷 (InGaAs)、锑化铟 (InSb) 及其他高迁移通道材料，并实施更加高效的方法，为原子和工艺变异性效应建模。

化合物半导体技术： Sentaurus 器件可仿真先进的量子化模型，包括严密的薛定谔方程和复杂的隧穿机制，用于模拟在高电子迁移率晶体管 (HEMT) 和异质结双极晶体管 (HBT) 等异质结构器件中的载流子传输。这些器件由以下（但不限于）这些材料制造而成：砷化镓 (GaA)、磷化铟 (InP)、氮化镓 (GaN)、硅锗 (SiGe)、碳化硅 (SiC)、铝砷化镓 (AlGaAs)、铟镓砷 (InGaAs)、氮化铝镓 (AlGaN) 和氮化铟镓 (InGaN)。

光电子器件： Sentaurus 器件可仿真 CMOS 图像传感器、太阳能电池等半导体器件的光电子特性。Sentaurus Device 中的功能选项还可使用 FDTD 方法，实现麦克斯韦波动方程的严密求解。

功率器件： Sentaurus 器件是仿真电效应和热效应的非常灵活、先进的平台，可仿真多种功率器件（比如 IGBT、电力 MOS、LDMOS、晶闸管）和由氮化镓 (GaN) 与碳化硅 (SiC) 等宽带隙材料制成的高频大功率器件。

存储器器件： Sentaurus 器件凭借先进的栅漏载流子隧道模型和俘获与释放模型，可仿真任何浮栅器件（比如 SONOS）和闪存存储器（包括使用高介电系数介电材料的器件）。

辐射效应： Sentaurus 器件可用来研究辐射对半导体器件操作造成的影响。不仅可仿真单粒子效应，包括单粒子翻转 (SEU) 和单粒子瞬态效应 (SET)，还可仿真电离总剂量 (TID) 效应。

新式半导体技术： Sentaurus 器件拥有先进的物理模型，能将用户自定义的模型添加到 Sentaurus 器件中，探索由新型材料制成的新式结构。